Résumé
On donne la description d'un appareillage pour la mesure de l'effet Hall et de la résistivité électrique de métaux et semiconducteurs fondus. La méthode est basée sur la multiplication d'un champ magnétique et d'un courant alternatifs. Une cellule de mesure en silice avec cinq électrodes de graphite permet d'atteindre 1000°C. Les résultats obtenus pour Na, Zn, Cd, Hg, Ga, Ge et Sb sont explicables au moyen du modèle de l'électron libre. Les mobilités électroniques calculées correspondent aux valeurs mesurées. L'addition d'impuretés (<1% Sb) dans le Te liquide n'a aucune influence sur ses propriétés électriques.
Abstract
An apparatus is described for measuring the Hall effect and the electrical resistivity of molten metals and semiconductors, based on a cross-modulation method with alternating magnetic and electric fields. A quarz sample holder with five graphite electrodes may be used at temperatures up to 1000°C. The results of experiments for Na, Zn, Cd, Hg, Ga, Ge and Sb are consistent with the values given by the free-electron model. The calculated electronic mobilities are in agreement with measured values. The addition of small quantities of impurities (<1% Sb) into molten Te does not affect its electrical properties.
Zusammenfassung
Eine empfindliche Wechselfeld-Wechselstrom-Apparatur zur Messung des Hall-Effektes und des elektrischen Widerstandes von geschmolzenen Metallen und Halbleitern wird beschrieben. Der Probenhalter aus Quarz mit fünf Graphitsonden kann bis 1000°C benutzt werden. Die Messungen für Na, Zn, Cd, Hg, Ga, Ge und Sb können erklärt werden mit dem Modell freier Elektronen. Die berechneten Werte der Elektronen-Beweglichkeiten stimmen mit den gemessenen überein. Die elektrischen Eigenschaften des flüssigen Te sind unabhängig von kleinen Verunreinigungskonzentrationen (<1% Sb).
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Busch, G., Tièche, Y. Résistivité électrique et effet Hall de métaux et semiconducteurs fondus. Phys kondens Materie 1, 78–104 (1962). https://doi.org/10.1007/BF02422326
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