Abstract
The Al x Ga1-x P y A1-y quaternary system can be grown lattice-matched to GaAs (see Table C1-3). The quaternary system is a promising material for use as the confining layer in visible light emitting laser diodes because of its large energy gap and good lattice matching to GaP y As1-y substrates with their wide range of alloy compositions (y=0−1.0).
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
References
P. N. Sen and G. Lucovsky, Phys. Rev. B 12, 2998 (1975).
V. V. Kuznetsov, V. N. Razbegaev, and S. Él-Giziri, Sov. Phys. Semicond. 23, 552 (1989).
References
S. J. Eglash and C. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 57, 1292 (1990).
D. Z. Garbuzov, R. U. Martinelli, H. Lee, R. J. Menna, P. K. York, L. A. DiMarco, M. G. Harvey, R. J. Matarese, S. Y. Narayan, and J. C. Connolly, Appl. Phys. Lett. 70, 2931 (1997).
A. Mezerreg, C. Llinares, J. L. Lazzari, and A. Montaner, Thin Solid Films 221, 196 (1992).
S. Adachi, J. Appl. Phys. 61, 4869 (1987).
H. Abid, M. Rezki, and H. Aourag, Mat. Sci. Eng. B 41, 314 (1996).
C. Alibert, M. Skouri, A. Joullie, M. Benouna, and S. Sadiq, J. Appl. Phys. 69, 3208 (1991).
O. Blum, I. J. Fritz, L. R. Dawson, and T. J. Drummond, Electron. Lett. 31, 1247 (1995).
P. Swarup, R. K. Jain, S. N. Verma, Sh. Charan, and D. M. Tandle, Phys. Status Solidi A 65 K183 (1981).
References
H. Shimomura, T. Anan, and S. Sugou, J. Cryst. Growth 162, 121 (1996).
S. Adachi, J. Appl. Phys. 53, 5863 (1982).
References
S. Adachi, J. Appl. Phys. 53, 8775 (1982).
S. Adachi, PhySiCal Properties of III–V Semiconductor Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and In GaAsP (Wiley-Interscience, New York, 1992).
P. M. Amirtharaj, G. D. Holah, and S. Perkowitz, Phys. Rev. B 21, 5656 (1980).
C. Pickering, J. Electron. Mater. 10, 901 (1981).
M. Amiotti, G. Guizzetti, M. Patrini, A. Piaggi, A. Borghesi, L. Colombo, and G. Landgren, J. Appl. Phys. 75, 3085 (1994).
G. M. zinger, I. P. Ipatova, and A. I. Ryskin, Sov. Phys. Semicond. 18, 13 (1984).
P. Chandra, L. A. Coldren, and K. E. Strege, Electron. Lett. 17, 6 (1981).
B. Broberg and S. Lindgren, J. Appl. Phys. 55, 3376 (1984).
W. Kowalsky, A. Schlachetzki, and F. Fiedler, Phys. Status Solidi A 68, 153 (1981).
W. Kowalsky, H.-H. Wehmann, F. Fiedler, and A. Schlachetzki, Phys. Status Solidi A 77, K75 (1983).
C. H. Henry, L. F. Johnson, R. A. Logan, and D. P. Clarke, IEEE J. Quantum Electron. QE-21, 1887 (1985).
K. Fronts, N. I. Maiorova, V. A. Mishurnyi, V. I. Kuchinskii, E. L. Portnoi, and V. B. Smirnitskii, Sov. Tech. Phys. Lett. 12, 342 (1986).
S. Morasca, B. Sordo, C. De Bernardi, and M. Meliga, Appl. Phys. Lett. 52, 1593 (1988).
H. Kawanishi, T. Iwakami, and T. Aota, Jpn. J. Appl. Phys. 23, 780 (1984).
S. Adachi, in Properties of Indium Phosphide, EMIS Datareviews Series No. 6 (INSPEC (IEE), London, 1990), p. 416.
K. Satzke, G. Weiser, R. Höger, and W. Thulke, J. Appl. Phys. 63, 5485 (1988).
F. Fiedler and A. Schlachetzki, Solid-State Electron. 30, 73 (1987).
B. Reid, R. Maciejko, and A. Champagne, Can. J. Phys. 71, 410 (1993).
H. Burkhard, H. W. Dinges, and E. Kuphal, J. Appl. Phys. 53, 655 (1982).
S. M. Kelso, D. E. Aspnes, M. A. Pollack, and R. E. Nahory, Phys. Rev. B 26, 6669 (1982).
M. Erman, J. P. Andre, and J. LeBris, J. Appl. Phys. 59, 2019 (1986).
H.-R. Kim, J. S. Kim, H. M. Kim, H. Ro Choo, H. M. Kim, and K. E. Pyun, J. Appl. Phys. 81, 409 (1997).
M. Amiotti and G. Landgren, J. Appl. Phys. 73, 2965 (1993).
S. Adachi, Phys. Rev. B 39, 12612 (1989).
L. I. Kamlet and F. L. Terry, Jr., J. Electron. Mater. 24, 2005 (1995).
H. Asai and H. Iwamura, Inst. Phys. Conf. Ser. 145, 985 (1996).
Yu-S. Chen and O. K. Kim, J. Appl. Phys. 52, 7392 (1981).
K.-H. Goetz, D. Bimberg, H. Jürgensen, J. Selders, A. V. Solomonov, G. F. Glin-skii, and M. Razeghi, J. Appl. Phys. 54, 4543 (1983).
E. Zielinski, H. Schweizer, K. Streubel, H. Eisele, and G. Weimann, J. Appl. Phys. 59, 2196 (1986).
F. R. Bacher, J. S. Blakemore, J. T. Ebner, and J. R. Arthur, Phys. Rev. B 37, 2551 (1988).
S. A. Clark, P. Roura, J. Bosch, A. Pérez-Rodríguez, J. R. Morante, D. I. West-wood, and R. H. Williams, J. Appl. Phys. 77, 3393 (1995).
D. Hahn, O. Jaschinski, H.-H. Wehmann, A. Schlachetzki, and M. von Ortenberg, J. Electron. Mater. 24, 1357 (1995).
H. W. Dinges, H. Burkhard, R. Lösch, H. Nickel, and W. Schlapp, Appl. Surf. Sci. 54, 477 (1992).
F. G. Celii, Y.-C. Kao, and W. M. Duncan, Inst. Phys. Conf. Ser. 141, 35 (1995).
D. E. Aspnes and H. J. Stocker, J. Vac. Sci. Technol. 21, 413 (1982).
T. W. Nee and A. K. Green, J. Appl. Phys. 68, 5314 (1990).
References
C.A. Wang and H. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 70, 802 (1997).
C. Pickering, J. Electron. Mater. 15, 51 (1986).
A. Mezerreg, C. Llinares, J. L. Lazzari, and A. Montaner, Thin Solid Films 221, 196 (1992).
W.G. Bi, A. Z. Li, and S. S. Tan, Mat. Res. Soc. Symp. Froc. 216, 213 (1991).
S. Adachi, J. Appl. Phys. 53, 5863 (1982).
M. S. S. Loural, M. B. Z. Morosini, J. L. Herrera-Pérez, A. A. G. Von Zuben, A. C. F. da Silveir, and N. B. Patel, Electron. Lett. 29, 1240 (1993).
S. Adachi, J. Appl. Phys. 61, 4869 (1987).
References
D. H. Jaw, M. J. Jou, Z. M. Fang, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 68, 3538 (1990).
References
A. D. Andreev and G. G. Zegrya, Appl. Phys. Lett. 70, 601 (1997).
References
H.-P. Gauggel, J. Kuhn, C. Jerichow, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer, Electron. Lett. 33, 1385 (1997).
Y. Ueno, K. Endo, H. Fujii, K. Kobayashi, K. Hara, and T. Yuasa, Electron. Lett. 26, 1726 (1990).
A. Gomyo, T. Suzuki, and S. Iijima, Phys. Rev. Lett. 60, 2645 (1988).
G. S. Homer, A. Mascarenhas, R. G. Alonso, S. Froyen, K. A. Bertness, and J. M. Olson, Phys. Rev. B 49, 1727 (1994).
M. C. DeLong, D. J. Mowbray, R. A. Hogg, M. S. Skolnick, J. E. Williams, K. Meehan, S. R. Kurtz, J. M. Olson, R. P. Schneider, M. C. Wu, and M. Hopkinson, Appl. Phys. Lett. 66, 3185 (1995).
S. Adachi, H. Kato, A. Moki, and K. Ohtsuka, J. Appl. Phys. 75, 478 (1994).
M. Moser, R. Winterhoff, C. Geng, I. Queisser, F. Scholz, and A. Dornen, Appl. Phys. Lett. 64, 235 (1994).
Y. Kaneko and K. Kishino, J. Appl. Phys. 76, 1809 (1994).
H. Kato, S. Adachi, H. Nakanishi, and K. Ohtsuka, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 186 (1994).
S. Ozaki, S. Adachi, M. Sato, and K. Ohtsuka, J. Appl. Phys. 79, 439 (1996).
H. Lee, M. V. Klein, D. E. Aspnes, C. P. Kuo, M. Peanasky, and M. G. Craford, J. Appl. Phys. 73, 400 (1993); erratum, ibid. 75, 679 (1994).
D. Z. Garbuzov, É. V. Tulashvili, V. P. Evtikhiev, and I. N. Arsent’ev, Sov. Tech. Phys. Lett. 8, 551 (1982).
A. Hassine, J. Sapriel, P. Le Berre, P. Legay, F. Alexandre, and G. Post, J. Appl. Phys. 77, 6569 (1995).
M. Moser, C. Geng, E. Lach, I. Queisser, F. Scholz, H. Schweizer, and A. Dörnen, J. Cryst. Growth 124, 333 (1992).
M. Schubert, V. Gottschalch, C. M. Herzinger, H. Yao, P. G. Snyder, and J. A. Woollam, J. Appl. Phys. 77, 3416 (1995).
K. Watanabe, K. Kobayashi, C. C. Wong, Yi-M. Xiong, T. Saitoh, and F. Hyuga, Thin Solid Films 270, 97 (1995).
H. Lee, M. V. Klein, J. M. Olson, and K. C. Hsieh, Phys. Rev. B 53, 4015 (1996).
References
J.-W. Pan, J.-L. Shieh, J.-H. Gau, J.-I. Chyi, J.-C. Lee, and K.-J. Ling, J. Appl. Phys. 78, 442 (1995).
C. De Bernardi, M. Meliga, S. Morasca, C. Rigo, B. Sordo, and A. Stano, J. Appl. Phys. 68, 6513 (1990).
M. J. Mondry, D. I. Babic, J. E. Bowers, and L. A. Coldren, IEEE Photon. Tech-nol. Lett. 4, 627 (1992).
H. Asai and H. Iwamura, Inst. Phys. Conf. Ser. 145, 985 (1996).
K. Masu, T. Mishima, S Hiroi, M. Konagai, and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 53, 7558 (1982).
P. Swarup, R. K. Jain, S. N. Verma, S. Charan, and D. M. Tandle, Phys. Status Solidi A 72, K189 (1982).
P. Roura, M. López-de Miguel, A. Cornet, and J. R. Morante, J. Appl. Phys. 81, 6916 (1997).
H. W. Dinges, H. Burkhard, R. Lösch, H. Nickel, and W. Schlapp, Appl. Surf. Sci. 65/66, 442 (1993).
H. W. Dinges, H. Burkhard, R. Lösch, H. Nickel, and W. Schlapp, Appl. Surf. Sci. 69, 355 (1993).
H. W. Dinges, H. Burkhard, R. Lösch, H. Nickel, and W. Schlapp, Mater. Sci. Eng. B 21, 174 (1993).
C. Pickering, N. S. Garawal, D. Lancefield, J. P. Piel, and R. Blunt, Appl. Surf Sci. 50, 346 (1991).
H. W. Dinges, H. Burkhard, R. Lösch, H. Nickel, and W. Schlapp, Appl. Surf Sci. 54, 477 (1992).
S. A. Alterovitz, R. M. Sieg, J. Pamulapati, and P. K. Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 62, 1411 (1993).
References
E. Lendvay, Czech. J. Phys. B 34, 479 (1984).
References
A. N. Baranov, A. N. Imenkov, V. Sherstnev, and Y. P. Yakovlev, Appl. Phys. Lett. 64, 2480 (1994).
J. Diaz, H. Yi, A. Rybaltowski, B. Lane, G. Lukas, D. Wu, S. Kim, M. Erdtmann, E. Kaas, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 70, 40 (1997).
D. Wu, E. Kaas, J. Diaz, B. Lane, A. Rybaltowski, H. J. Yi, and M. Razeghi, IEEE Photon. Technol. Lett. 9, 173 (1997).
X. Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, T. Iida, T. Kato, M. Aoyama, Y. Hayakawa, and M. Kumagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 2614 (1997).
A. G. Belov, G. M. Zinger, M. A. II’in, Yu. N. Korchagin, E. P. Rashevskaya, and A. I. Ryskin, Sov. Phys. Solid State 22, 839 (1980).
N. P. Esina, N. V. Zotova, B. A. Matveev, L. D. Neulmina, N. M. Stus’, and G. N. Talalakin, Sov. Phys. Semicond. 15, 1372 (1981).
S. Adachi, J. Appl. Phys. 61, 4869 (1987).
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
Copyright information
© 1999 Springer Science+Business Media New York
About this chapter
Cite this chapter
Adachi, S. (1999). Quaternary Alloys. In: Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors. Springer, Boston, MA. https://doi.org/10.1007/978-1-4615-5247-5_30
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-1-4615-5247-5_30
Publisher Name: Springer, Boston, MA
Print ISBN: 978-0-7923-8567-7
Online ISBN: 978-1-4615-5247-5
eBook Packages: Springer Book Archive