Abstract
Impurity-induced disordering seems to be a general phenomenon affecting all III–V materials. This paper reviews this phenomenon. Before the available data on impurity-induced disordering is discussed, the diffusion mechanisms for the dopants are briefly reviewed, and for silicon-doped material a more detailed discussion is provided because of its technological importance. Moreover, there has been no critical review of the recent progress in silicon diffusion mechanisms. In zinc-diffused multi-quantum wells and superlattices the mechanism for the enhancement of the interdiffusion seems to be primarily by the fast diffusion of group III interstitials whose concentration has been significantly increased over their equilibrium value by the diffusion of the dopant. For silicon impurity-induced disorder the situation is less clear. However, it is certain that the effect of the position of the Fermi level on the native defect concentrations plays a significant role in the disordering mechanism. The study of the other dopants which cause diffusion-induced disordering is less advanced. For n-type dopants there is an argument which suggests that they all have a common cause, namely the increase in the group III triply charged vacancy which is caused by the increase in the Fermi energy. This will be explored in this review. A brief discussion of ion implantation-induced disordering is also provided. This essentially provides a bibliography of the past work in this field. It is clear, for at least one dopant, that there needs to be some damage to the crystal before the enhancement of the interdiffusion occurs. However, for other dopants too much damage reduces the enhancement of the intermixing.
Article PDF
Similar content being viewed by others
Avoid common mistakes on your manuscript.
References
I. HARRISON, H. P. HO, B. TUCK, M. HENINI, and O. H. HUGHES, Semicond. Sci. Tech. 4 (1989) 841.
W. D. LAIDIG, N. HOLONYAK Jr, M. D. CAMRAS, K. HESS, J. J. COLEMAN, P. D. Dapkus, and J. BARDEEN, Appl. Phys. Lett. 38 (1981) 776.
B. TUCK, Atomic diffusion in III–V Semiconductors (Hilger (IOP) Bristol, 1988).
L. L. CHANG, and A. KOMA, Appl. Phys. Lett. 29 (1976) 138.
R. M. FLEMING, D. B. MCWHAN, A. C. GOSSARD, W. WIEGMANN, and R. A. LOGAN, J. Appl. Phys. 51 (1980) 357.
H. D. PALFREY, M. BROWN, and A. F. W. WILLOUGHBY, J. Electrochem. Soc. 121 (1981) 2224.
Idem., H. D. PALFREY, M. BROWN and A. F. W. WILLOUGHBY, J. Electron Mater. 12 (1983) 863.
B. GOLDSTEIN, Phys. Rev. 121 (1961) 1305.
T. Y. TAN, and U. GÖSELE, J. Appl. Phys. 61 (1987) 1841.
P. MEI, H. W. YOON, T. VENKATESAN, S. A. SCHWARZ, and J. P. HARBISON, Appl. Phys. Lett.50 (1987) 1823.
T. Y. TAN and U. GöSELE, 1987, ibid. Appl. Phys. Lett. 52-(1987) 1240.
Idem. T. Y. TAN and U. GöSELE, Mater. Sci. Eng. B1 (1988) 47.
L. J. GUIDO, N. HOLONYAK Jr, K. C. HSIEH, R. W. KALISKI, W. E. PLANO, R. D. Burnham, R. L. THORNTON, J. E. EPLER, and T. L. PAOLI, J. Appl. Phys. 61 (1987) 1372.
A. FURUYA, O. WADA, A. TAKAMORI, and H. HASHIMOTO, Jpn. J. Appl. Phys. 26 (1987) L926.
L. J. GUIDO, N. HOLONYAK JR. and K. C. HSIEH, in Proceedings of International Symposium on GaAs and Re- lated Compounds, Atlanta, Georgia, 1988, Institute of Physics Conference, Series No. 96 (1989) p 353.
N. BABA-ALI, I. HARRISON, B. TUCK, H. P. HO, M. HENINI, and O. H. HUGHES, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 1 (1990) 133.
K. Y. HSIEH, Y. C. LO, J. H. LEE and R. M. KOLBAS, in Proceedings of International Symposium on GaAs and Related Compounds, Atlanta, Georgia, 1988, Institute of Physics Conference, Series No. 96 (1989) p. 393.
R. M. COHEN, J. Elec. Mater. 20 (1991) 425.
Idem. R. M. COHEN, J. Appl. Phys. 67 (1990) 7268.
T. Y. TAN, U. GÖSELE, and S. YU, Crit. Rev. Sol. Stat. Mater. Sci. 17 (1991) 47.
Idem. T. Y. TAN, U. GöSELE and S. YU, J. Appl. Phys. 70 (1991) 4823.
B. L. OLMSTED, and S. N. HOUDE-WALTER, Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 368.
Y. SUZUKI, H. IWAMURA and O. MIKAMI, ibid. Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 19.
J. WERNER, E. KAPON, N. G. STOFFEL, E. COLAS, S. A. SCHWARZ, C. L. SCHWARTZ and N. ANDREADAKIS, ibid. Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 540.
J. Y. CHI, X. WEN, E. S. KOTELES and B. ELMAN, ibid. Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 855.
X. WEN, J. Y. CHI, E. S. KOTELES, B. ELMAN, and P. MELMAN, J. Electron. Mater. 19 (1990) 539.
T. YAMAMOTO, M. KASU, S. NODA, and A. SASAKI, J. Appl. Phys. 68 (1990) 5318.
H. RIBOT, F. LARUELLE, and L. A. COLDREN, Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 2526.
T. E. SCHLESINGER and T. KUECH, ibid. Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 519.
J. C. LEE, and T. E. SCHLESINGER, J. Vac. Sci. Technol. B5(1987) 1187.
J. D. RALSTON, S. O'BRIEN, G. W. WICKS, and L. F. EASTMAN, Appl. Phys. Lett. 52 (1988) 1511.
K. S. SEO, P. K. BHATTACHARYA, G. P. KOTHIYAL and S. HONG, ibid. Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 966.
R. J. BAIRD, T. J. POTTER, G. P. KOTHIYAL and P. K. BHATTACHARYA, ibid. Appl. Phys. Lett. 52 (1988) 2055.
A. C. BRYCE, J. H. MARSH, R. GWILLIAM, and R. W. GLEW, IEE Proc. J. 138 (1991) 87.
R. E. MALLARD, N. J. LONG, G. R. BOOKER, E. G. SCOTT, M. HOCKLY, and M. Taylor, J. Appl. Phys. 70 (1991) 182.
T. MIYAZAWA, Y. SUZUKI, Y. KAWAMURA, H. ASAI, and O. MIKAMI, Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L730.
J. Y. CHI, E. S. KOTELESAND R. P. HOLMSTROM, Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 2185.
O. S. BRIEN, J. R. SHEALY, D. P. BOUR, L. ELBAUM and J. Y. CHI, ibid. Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 1365.
M. C. JONCOUR, M. N. CHARASSE, and J. BURGEAT,J. Appl. Phys. 58 (1985) 3371.
G. P. KOTHIYAL and P. BHATTACHARYA, ibid. J. Appl. Phys. 63 (1988) 2760.
W. P. GILLIN, Y. S. TANG, N. J. WHITEHEAD, K. P. HOMEWOOD, B. J. SEALY, M. T. Emeny, and C. R. WHITEHOUSE, Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 1116.
J. S. MAJOR Jr, L. J. GUIDO, N. HOLONYAK Jr, K. C. HSIEH, E. J. VESELY, D. W. NAM, D. C. HALL, J. E. BAKER, P. GAVRILOVIC, and K. MEEHAN, J. Electron. Mater. 19 (1990) 59.
K. Y. HSIEH, Y. L. HWANG, J. H. LEE and R. M. KOLBAS, ibid. J. Electron. Mater. 19 (1990) 1417.
H. TEMKIN, S. N. G. CHU, M. B. PANISH, and R. A. LOGAN, Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 956.
R. W. GLEW, J. P. STAGG, P. D. GREENE, A. T. R. BRIGGS, S. BRADSHAW and J. H. MARSH, presented at 3rd International Conference on InP and Related Materials, Cardiff, 1991.
S. J. YU, H. ASAHI, S. EMURA, S. GONDA, and K. NAKASHIMA, J. Appl. Phys. 70 (1991) 204.
T. FUJII, M. SUGAWARA, A. YAMAZAKI, and K. NAKAJIMA, J. Cryst. Growth 105 (1990) 348.
K. NAKASHIMA, Y. KAWAGUCHI, Y. KAWAMURA, H. ASAHI, and Y. IMAMURA, Jpn. J. Appl. Phys. 26 (1987) L1620.
W. P. GUPILLIN, B. J. SUPEALYAND, K. P. HUPOMEWOOD, Opt. Quantum Electron. (1991) S975.
A. F. W. WILLOUGHBY, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 14 (1983) 237.
R. L. LONGINI, Solid State Electron. 5 (1962) 127.
U. GÖSELE, and F. MOREHEAD, J. Appl. Phys. 52 (1981) 4617.
H. R. WINTELER, Helv. Phys. Acta 44 (1971) 451.
J. F. BLACK, and Jungbluth, J. Elec. Chem. Soc. 114 (1967) 181.
R. K. BALL, P. W. HUTCHINSON, and P. S. DOBSON, Phil. Mag. A43 (1981) 1299.
S. K. AGENO, R. J. ROEDEL, N. MELLEN, and J. S. ESCHER, Appl Phys. Lett. 47 (1985) 1193.
C. P. LEE, S. MARGALIT, and A. YARIV, Solid State Electron. 21 (1978) 905.
V. QUINTANA, J. J CLEMENCON, and A. K. CHIN, J. Appl. Phys. 63(1988)2454.
Y. MATSUMOTO, Jpn. J. Appl. Phys. 22 (1983) 829.
S. E. BLUM, M. B. SMALL, and D. GUPTA, Appl. Phys. Lett. 42 (1983) 108.
J. A. Van VECHTEN, J. Appl. Phys. 53 (1982) 7082.
G. C. JAIN, D. F. SARDANA, and B. K. DAS, Solid State Electron. 19 (1976) 731.
I. HARRISON, H. P. HO, B. TUCK, M. HENINI, and O. H. HUGHES, Semicond. Sci. Tech. 5 (1990) 561.
B. I. BOLTAKS, T. D. DZHAFAROV, Y. P. DEMAKOV and I. E. M ARONCHUK, Sov. Phys. Semicond. 9 (1975) 545.
I. HARRISON, Int. J. Num. Mod. 3 (1990) 91.
R. J. BAIRD, T. J. POTTER, R. LAI, G. P. KOTHIYAL, and P. K. BHATTACHARYA, Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 2302.
Y. KAWAMURA, H. ASAHI, A. KOHZEN, and K. WAKITA, Elec. Lett. 21 (1985) 218.
B. TUCK, and P. R. JAY, J. Phys. D: Appl. Phys. 10 (1977) 1315.
L. L. CHANG, and G. L. PEARSON, J. Appl. Phys. 35 (1964) 374.
B. TUCK, and P. R. JAY, J. Phys. D: Appl. Phys. 10 (1977) 1315.
M. D. CAMRAS, N. HOLONYAK Jr, K. HESS, M. J. LUDOWISE, W. T. DIETZE, and C. R. LEWIS, Appl. Phys. Lett. 42 (1983) 185.
H. H. PARK, K. H. LEE and D. A. STEVENSON, ibid. Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 2299.
D. G. DEPPE, D. W. NAM, N. HOLONYAK Jr, K. C. HSIEH, J. E. BAKER, C. P. Kuo, R. M. FLETCHER, T. D. OSENTOWSKI, and M. G. CRAFORD, Appl. Phys. Lett. 52 (1988)1413.
R. M. KUNDUKHOV, S. G. METREVELI, and N. V. SIUKAEV, Sov. Phys. Semicond. 1 (1967) 765.
B. TUPUCK, and M. D. ZUPAHARI, in Gallium Arsenide and Related Compounds;tInstitute of Physics Conference, Series No. 33a (1976), 177.
B. TUCK, and A. HOOPER, J. Phys. D: Appl. Phys. 8 (1975) 1806.
G. DLUBEK, O. BRUMMER, F. PLAZAOLA, P. HAUTOJARVI, and L. NAUKKARINEN, Appl. Phys. Lett. 46 (1985) 1136.
M. RAZEGHI, O. ACHER, and F. LAUNAY, Semicond. Sci. Technol. 2 (1987) 793.
I. J. PAPE, P. Li Kam WA J. P. R. DAVID, P. A. CLAXTON, P. N. ROBSON, and D. SYKES, Electron. Lett. 24 (1988) 910.
H. H. PARK, B. K. KANG, E. S. NAM, Y. T. LEE, J. H. KIM, and D. O. KWON, Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1768.
M. YAMADA, P. K. TIEN, R. J. MARTIN, R. E. NAHORY and A. A. BALLMAN, ibid. Appl. Phys. Lett. 43 (1983) 594.
S. A. SCHWARZ, P. MEI, T. VENKATESAN, R. BHAT, D. M. HWANG, C. L. SCHWARTZ, M. KOZA, L. NAZAR and B. J. SKROMME, ibid. Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 1051.
D. M. HWANG, S. A. SCHWARZ, P. MEI, R. BHAT, L. VENKATESAN, L. NAZAR and C. L. SCHWARTZ, ibid. Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 1160.
G. J. van GURP, W. M. van de WIJGERT, G. M. FONTIJN, and P. J. A. THUS, J. Appl Phys. 67 (1990) 2919.
B. TUCK, and A. HOOPER, J. Mater. Sci. 11 (1976) 491.
P. AMBREE, A. HANGLEITER, M. H. PILKUHN, and K. WANDEL, Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 931.
E. A. POLTORATSKII, and V. M. STUCHEBNIKOV, Soviet Phys. Solid State 8 (1966) 770.
M. ILEGEMS, J. Appl. Phys. 48 (1977) 1278.
W. V MCLEVIGE, K. V. VAIDYANATHAN, B. G. STREETMAN, M. ILEGEMS, J. COMAS, and L. PLEW, Appl. Phys. Lett. 33 (1978) 127.
J. N. MILLER, D. M. COLLINS and N. J. MOLL, ibid. Appl. Phys. Lett. 46 (1985) 960.
H. G. ROBINSON, M. D. DEAL and D. A. STEVENSON, ibid. Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 554.
P. ENQUIST, G. W. WICKS, L. F. EASTMAN, and C. HITZMAN, J. Appl. Phys. 58 (1985) 4130.
P. A. HOUSTON, F. R. SHEPHERD, A. J. SPRING-THORPE, P. MANDERVILLE, and A MARGITTAI, Appl. Phys. Lett. 52 (1988) 1219.
J. E. CUNNINGHAM, T. H. CHIU, A. OURMAZD, W. JAN, and T. Y. KUO, J. Cryst. Growth 105 (1990) 111.
E. F. SCHUBERT, J. M. KUO, R. F. KOPF, H. S. LUFTMAN, L. C. HOPKINS, and N. J. Sauer, J. Appl. Phys. 67 (1990) 1969.
M. KAWABE, N. SHIMIZU, F. HASEGAWA, and Y. NANNICHI, Appl. Phys. Lett. 46 (1985) 849.
R. L. S. DEVINE, C. T. FOXON, B. A. JOYCE, J. B. CLEGG, and J. P. GOWERS, Appl. Phys. A44 (1987) 195.
D. L. KENDELL, in “Semiconductors and Semimetals”, Vol 4, edited by Willardson, and Beer (Academic, New York, 1968) Ch. 3.
H. P. HO, I. HARRISON, N. BABA-ALI, and B. TUCK, J. Appl. Phys. 69 (1991) 3494.
I. HARRISON, H. P. HO, and N. BABA-ALI, J. Electron. Mater. 20 (1991) 449.
H. P. HO, I. HARRISON, N. BABA-ALI, B. TUCK and M. HENINI, ibid. J. Electron. Mater. 20 (1991) 649.
C. H. WU, K. C. HSIEH, G. E. HÖFLER, N. EL-ZEIN, and N. HOLONYAK, Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 1224.
M. B. SMALL, R. M. POTEMSKI, W. REUTER and R. GHEZ, ibid. Appl. Phys. Lett. 41 (1982) 1068.
R. W. KALISKI, D. W. NAM, D. G. DEPPE, N. HOLONYAK Jr, K. C. Hsieh, and R. D. BURNHAM, J. Appl. Phys. 2 (1987) 998.
D. G. DEPPE, L. J. GUIDO, and N. Holonyak Jr, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 126 (1988) 31.
R. T. CHEN, and W. G. SPITZER, J. Electron. Mater. 10 (1981) 1085.
R. MURRAY, R. C. NEWMAN, M. J. L. SANGSTER, R. B. BEALL, J. J. HARRIS, P. J. Wright, J. WAGNER, and M. RAMSTEINER, J. Appl. Phys. 66 (1989) 2589.
W. M. THEIS and W. G. SPITZER, ibid. J. Appl. Phys. 56 (1984) 890.
H. ONO and R. C. NEWMAN, ibid. J. Appl. Phys. 66 (1989) 141.
J. MAGUIRE, R. MURRAY, R. C. NEWMAN, R. B. BEALL, and J. J. HARRIS, Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 516.
M. E. GREINER and J. F. GIBBONS, ibid. Appl. Phys. Lett. 44 (1984) 750.
Idem. M. E. GREINER and J. F. GIBBONS, ibid. Appl. Phys. Lett. 57 (1985) 5181.
D. G. DEPPE, N. HOLONYAK Jr, F. A. KISH, and J. E BAKER, Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 998.
D. G. DEPPE, N. HOLONYAK, JR and J. E. BAKER, ibid. Appl. Phys. Lett. 52(1988) 129.
K. B. KAHEN, J. Appl. Phys. 66 (1989) 176.
K. L. KAVANGH, J. W. MAYER, C. W. MAGEE, J. SHEETS, J. TONG, and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 47 (1985) 1208.
S. YU, U. M. GÖSELE, and T. Y. TAN, J. Appl. Phys. 66 (1989) 2952.
G. A. BARAFF, and M. SCHLUTER, Appl. Phys. Lett. 55 (1985) 1327.
K. H. LEE, D. A. STEVENSON, and M. D. DEAL, J. Appl. Phys. 68 (1990) 4008.
J. LEE, L. WEI, S. TANIGAWA and M. KAWABE, ibid. J. Appl. Phys. 68 (1990) 5571.
M. KAWABE, N. MATSUURA, N. SHIMIZU, F. HASEGAWA, and Y. NANNICHI, Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) L623.
K. MEEHAM, P. GAVRILOVIC, N. HOLONYAK Jr, R. D. BURNHAM, and R. L. THORNTON, Appl. Phys. Lett. 46 (1985) 75.
P. MEI, S. A. SCHWARZ, T. VENKATESAN, C. L. SCHWARTZ, J. P. HARBISON, L. FLOREZ, N. D. THEODORE and C. B. CARTER, ibid. Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 2560.
J. H. NEAVE, P. J. DOBSON, J. J. HARRIS, P. DAWSON, and B. A. JOYCE, Appl. Phys. A32 (1983) 195.
P. MEI, S. A. SCHWARZ, T. VENKATESAN, C. L. SCHWARTZ, and E. COLAS, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 126 (1988) 71.
Idem. P. MEI, S. A. SCHWARZ, T. VENKATESAN, C. L. SCHWARTZ and E. COLAS, J. Appl. Phys.} 65 (1989) 2165.
D. G. DEPPE, W. E. PLANO, J. E, Baker, N. HOLONYAK Jr, M. J. LUDOWISE, C. P. KUO, T. D. FLETCHER, T. D. Ostentowski, and M. G. CRAFORD, Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 2211.
K. OGAWA, and M. KAWABE, Jpn. J. Appl. Phys. 1 29 (1990) 1240.
E. F. SCHUBERT, C. W. TU, R. F. KOPF, J. M. KUO, and L. M. LUNARDI, Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 2592.
E. F. SCHUBERT, J. B. STACK, T. H. CHUI and B. TELL, ibid. Appl. Phys. Lett. 53(1988) 293.
L. J. GUIDO, N. HOLONYAK Jr, K. C. HSIEH, R. W. KALISKI, J.E. BAKER, D. G. Deppe, R. D. BURNHAM, R. L. THORNTON, and T. L. PAOLI, J. Electron. Mater. 16 (1987) 87.
T. H. CHIU, J. E. CUNNINGHAM, B. TELL, and E. F. SCHUBERT, J. Appl. Phys. 64 (1988) 1578.
T. MIYAZAWA, Y. KAWAMURA, and O. MIKAMI, Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L1731.
B. TUCK, and M. H. BADAWI, J. Phys. D: Appl. Phys. 11 (1978) 2541.
D. SHAW, Phys. Status Solidi (a) 86 (1984) 629.
H. P. HO, I. HARRISON, N. BABA-ALI, B. TUCK, and M, Henini, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 2 (1991) 137.
E. V. K. RAO, P. OSSART, F. ALEXANDRE, and H. THIBIERGE, Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 588.
D. G. DEPPE, W. E. PLANO, J. M. DALLESASSE, D. C. HALL, L. J. G UIDO and N. HOLONYAK, JR, ibid. Appl. Phys. Lett. 52(1988) 825.
B. T. CUNNINGHAM, L. J. GUIDO, J. E. BAKER, J. S. MAJOR, N. HOLONYAK, JR and G. E. STILLMAN, ibid. Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 687.
L. J. GUIDO, B. T. CUNNINGHAM, D. W. NMA, K. C. HSIEH, W. E. PLANO, J. S. Major Jr, E. J. VESELY, A. R. SUGG, N. HOLONYAK Jr, and G. E. STILLMAN, J. Appl. Phys. 67 (1990) 2179.
I. SZAFRANEK, M. SZAFRANEK, B. T. CUNNINGHAM, L. J. GUIDO, N. HOLONYAK, JR and G. E. STILLMAN, ibid. J. Appl. Phys. 68 (1990) 5615.
D. T. J. HURLE, J. Phys. Chem. Solids 40 (1979) 627.
A. B. YOUNG and G. L. PEARSON, ibid. J. Phys. Chem. Solids 31 (1970) 517.
B. TUCK, and R. G. POWELL, J. Phys. D: Appl. Phys. 14 (1981) 1317.
H. MATINO, Solid-State Electron. 17 (1974) 35.
E. V. K. RAO, H. THIBIERGE, F. BRILLOUET, F. ALEXANDRE, and R. AZOULAY, Appl Phys. Lett. 46 (1985) 867.
C. SHIEH, J. MANTZ, C. COLVARD, K. ALAVI, R. ENGLEMANN, Z. Smith, and S. WAGNER, Superlatt. Microstr. 4 (1988) 597.
J. S. MAJOR Jr, J. M. DALLESASSE, L. J. GUIDO, J. E. BAKER, W. E. PLANO, A. R. SUGG, E. J. VESELY, T. A. RICHARD, and N. HOLONYAK Jr, Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 1720.
N. BABA-ALI, I. HARRISON, B. TUCK, H. P. HO, and M. HENINI, Opti. Quantum Electron. 23 (1991) S813.
J. J. COLEMAN, P. D. DAPKUS, C. G. KIRKPATRICK, M. D. CAMRAS, and N. HOLONYAK Jr, Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 904.
J. KOBAYASHI, M. NAKAJIMA, Y. BAMBA, T. FUKUNAGA, K. MATSUI, K. ISHIDA, H. NAKASHIMA, and K. ISHIDA, Jpn. J. Appl. Phys. 25(2) (1986) L385.
K. MATSUI, S. TAKATANI, T. FUKUNAGA, T. NARUSAWA, Y. BAMBA and H. NAKASHIMA, ibid. Jpn. J. Appl. Phys. 25(2) (1986) L391.
T. VENKATESAN, S. A. SCHWARZ, D. M. HWANG, R. BHAT, M. KOZA, H. W. YOON, P. MEI, Y. ARAKAWA, and A. YARIV, Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 701.
S. A. SCHWARZ, T. VENKATESAN, D. M. HWANG, H. W. YOON, R. BHAT and Y. ARAKAWA, ibid. Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 281.
T. FUKUNAGA, K. ISHIDA, T. KURODA, K. MATSUI, T. NARUSAWA, T. MORITA, E. MIYAUCHI, Hashimoto, and H. NAKASHIMA, in Institute of Physics Conference, Series No. 79 (1986) p. 439.
K. MATSUI, S. TAKAMORI, T. FUKUNAGA, T. NARUSAWA, and H. NAKASHIMA, Jpn. J. Appl. Phys. 26 (1) (1987) 482.
E. A. DOBISZ, B. TELL, H. G. CRAIGHEAD, S. A. SCHWARZ, M. C. TAMARGO, and J. P. Harbison, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 77 (1987) 423.
K. ISHIDA, K. MATSUI, T. FUKUNAGA, J. KOBAYASHI, T. MORITA, E. MIYAUCHI and H. NAKASHIMA, Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 109.
K. MATSUI, J. KOBAYASHI, T. FUKUNAGA, K. ISHIDA, and H. NAKASHIMA, Jpn. J. Appl. Phys. 26 (1987) L1122.
M. UEMATSU and F. YANAGAWA, ibid. Jpn. J. Appl. Phys. 26 (1987) L1407.
K. B. KAHEN, G. RAJESWARAN, and S. TONG-LEE, Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 1635.
S. TONG-LEE, G. BRAUNSTEIN, P. FELLINGER, and G. RAJESWARAN, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 144 (1989) 489.
S. CHEN, S. TONG-LEE, G. BRAUNSTEIN and G. RAJESWARAN, ibid. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 144 (1989) 463.
S. CHEN, S. TONG-LEE, G. BRAUNSTEIN, G. RAJESWARAN and P. FELLINGER, ibid. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 147 (1989) 279.
P. GAVRILOVIC, D. G. DEPPE, K. MEEHAM, N. HOLONYAK, Jr, J. J. COLEMAN, and R. D. BURNHAM, Appl. Phys. Lett. 47 (1985) 130.
Y. HIRAYAMA, Y. SUZUKI, and H. OKAMOTO, Jpn. J. Appl. Phys. 24 (1985) 1498.
J. RALSTON, G. W. WICKS, L. F. EASTMAN, B. C. DECOOMAN, and C. B. CARTER, J. Appl. Phys. 59 (1985) 120.
J. CIBERT, P. M. PETROFF, D. J. WERDER, S. J. PEARTON, A. C. GOSSARD, and J. H. English, Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 223.
E. A. DOBISZ, B. TELL, H. G. CRAIGHEAD, and M. C. TAMARGO, J. Appl. Phys. 60 (1986) 4150.
K. KASH, B. TELL, P. GRABBLE, E. A. DOBISZ, H. G. CRAIGHEAD and M. C. TAMARGO, ibid. J. Appl. Phys. 63 (1988) 190.
P. MEI, T. VENKATESAN, S. A. SCHWARZ, N. G. STOFFEL, J. P. HARBISON, D. L. Hart, and L. A. FLOREZ, Appl. Phys. Lett. 52 (1988) 1487.
E. V. K. RAO, F. BRILLOUET, P. OSSART, Y. GAO, J. SAPRIEL, and P. KRAUZ, in Institute of Physics Conference, Series No. 91 (1988) p. 553.
K. K. ANDERSON, J. P. DONNELLY, C. A. WANG, J. D. WOODHOUSE, and H. A. HAUS, Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 1632.
P. M. PETROFF Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 104 (1988) 595.
B. ELAMN, E. S. KOTELES, P. MELMAN, and C. A. ARMIENTO, J. Appl. Phys. 66 (1989) 2104.
S. CHEN, S. LEE, G. BRAUNSTEIN, K. Y. KO, L. ZHENG, and T. Y. TAN, Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1194.
M. O'NEILL, A. C. J. H. BRYCE, J. H. MARSH, R. M. DE LA RUE, J. S. ROBERTS and C. JEYNES, ibid. Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1373.
P. P. PRONKO, A. W. MCCORMICK, D. B. PATRIZIO, A. K. RAI, R. M. KOLBAS, and B. S. FRANK, Mater. Res. Soc. Proc. 147 (1989) 297.
S. Tong LEE, S. CHEN, G. GRAUNSTEIN, K. KO, M. OTT, and T. Y. TAN, Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 389.
A. G. CULLIS, N. G. CHEW, C. R. WHITEHOUSE, D. C. JACOBSON, J. M. POATE and S. J. PEARTON, ibid. Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1211.
C. SHIEH, C. COLVARD, J. MANTZ, K. ALAVI, and R. ENGELMANN, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 144 (1989) 531.
E. G. BITHELL, W. M. STOBBS, C. PHILLIPS, R. ECCLESTON, and R. GWILLIAM, J. Appl. Phys. 67 (1990) 1279.
K. B. KAMEN, D. L. PETERSON and G. RAJESWAREN, ibid. J. Appl. Phys. 68 (1990) 2087.
H. LEIER, A. FORCHEL, G. HORCHER, J. HOMMEL, S. BAYER, H. ROTHFRITZ, G. WEIMANN and W. SCHLAPP, ibid. J. Appl. Phys. 67 (1990) 1805.
F. XIONG, T. A. TOMBRELLO, C. L. SCHWARTZ, and S. A. SCHWARZ, Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 896.
M. D. CAMRAS, J. J. COLEMAN, N. HOLONYAK, Jr, K. HESS, P. D. DAPKUS, and C. G. KIRKPATRICK, in Institute of Physics Conference Series No. 65 (1983) p. 233.
K. ISHIDA, T. TAKAMORI, K. MATSUI, T. FUKU-NAGA, T. MORITA, E. MIYAUCHI, H. HASHIMATO, and H. NAKASHIMA, Jpn. J. Appl. Phys. 25 (1986) L783.
G. W. ARNOLD, S. T. PICRAUX, P. S. PEERCY, D. R. MYERS, and L. R. DAWSON, Appl. Phys. Lett. 45(1984) 382.
D. R. MYERS, G. W. ARNOLD, I. J. FRITZ, L. R. DAWSON, R. M. BIEFELD, C. R. Hills, and B. L. DOYLE, J. Electron. Mater. 17 (1988) 405.
D. R. MYERS, R. M. BIEFELD, I. J. FRITZ, S. T. PICRAUX, and T. E. ZIPPERIAN, Appl. Phys. Lett. 44 (1984) 1052.
E. V. K. RAO, P. OSSART, H. THIBIERGE, M. QUILLEC and P. KRAUZ, ibid. Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 2190.
E. V. K. RAO, P. OSSART, H. THIBIERGE, M. QUILLEC, P. KRAUZ, presented at SSDM, Sendai, Japan, 1990.
I. J. PAPE, P. Likam WA, D. A. ROBERTS, J. P. R. DAVID, P. A. CLAXTON, P. N. ROBSON, in Institute of Physics Conference, Series No. 96 (1989) p. 397.
B. TELL, J. SHAH, P. M. THOMAS, K. F. BROWN-GOEBELER, A. DIGIOVANNI, B. I. Miller, and U. KOREN, Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 1570.
B. TELL, B. C. JOHNSON, J. L. ZYSKIND, J. M. BROWN, J. W. SULHOFF, K. F. BROWN-GOEBELER, B. I. MILLER and U. KOREN, ibid. Appl. Phys. Lett. 52 (1988) 1428.
H. SUMIDA, H. ASAHI, S. J. YU, K. ASAMI, S. GONDA and H. TANOUE, ibid. Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 520.
W. XIA, S. C. LIN, S. A. PAPPERT, C. A. HEWETT, M. FERNANDES, T. T. VU, P. K. L. YU and S. S. LAU, ibid. Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 2020.
F. H. JULIEN, M. A. BRADLEY, E. V. K. RAO, M. Razeghi, and L. GOLDSTEIN, Opt. Quantum Electron. 23(1991) S847.
L. J. GULDO, N. HOLONYAK Jr, K. C. HSIEH, and J. E. BAKER, Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 262.
A. H. Van OMMEN, J. Appl. Phys. 54 (1983) 561.
N. A. STOLWIJK, M. PERRET, H. MEHRER, Defect Diff. Forum 59 (1988) 79.
L. PAVESI, D ARAUJO, N. H. KY, J. D. GANIERE, F. K. REINHART, P. A. Buffat, and G. BURRI, Opt. Quantum Electron. 23 (1991) S789.
R. L. THORNTON, R. D. BURNHAM, T. L. PAOLI, N. HOLONYAK Jr, and D. G. DEPPE, J. Cryst. Growth 77(1986) 621.
Y. OHMORI, A. TATE, and M. KOBAYASHI, Jpn. J. Appl. Phys. 26 (1) (1987) 1600.
D. G. DEPPE, and N. HOLONYAK Jr, J. Appl. Phys. 64 (1988) R93.
R. L. THORTNTON, W. J. MOSBY, and H. F. CUNG, Appl. Phys. Lett. (1988) 2669.
T. WOLF, C. L. SHIEH, R. ENGLEMANN, K. ALAVI, J. MANTZ, ibid. Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1412.
Y. SUZUKI, H. IWAMURA, T. MIYAZAWA, O. MIKAMI, ibid. Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 2745.
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Harrison, I. Impurity-induced disordering in III–V multi-quantum wells and superlattices. J Mater Sci: Mater Electron 4, 1–28 (1993). https://doi.org/10.1007/BF00226629
Received:
Accepted:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF00226629