Zusammenfassung
In diesem Anhang sind eine Reihe für die Ionenimplantation wichtiger Materialparameter von Halbleitern und Isolatoren, Diffusionskoeffizienten, Löslichkeiten und Reichweiten von Fremdatomen sowie Dampfdrucktabellen angegeben. Außerdem ist eine Tabelle der komplementären Fehlerfunktion und die Häufigkeit der Isotope der einzelnen Elemente dargestellt.
Tab. 9.1 bis 9.13 befinden sich am Ende des Anhangs (S. 310ff.).
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© 1978 B. G. Teubner, Stuttgart
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Ryssel, H., Ruge, I. (1978). Anhang. In: Ionenimplantation. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-05668-3_9
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-663-05668-3_9
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-519-03206-9
Online ISBN: 978-3-663-05668-3
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