Abstract
Была исследована термическая устойчивость некоторых полупроводников типа AIIIBV — AlSb, GaSb, InSb — и Ge измерением вязкости их расплава. Соответствующие кривые свободной энергии обладают минимумом, который — повидимому свидетельствует об изменении координационного числа, приближаясь таким образом к структуре кристаллической фазы. Даны важнейшие условия монокристаллического роста, на основе которых описан модифицированный вариант метода Чохральского. В конце изложена связь между некоторыми структурно-чувствительными свойствами и структурой монокристаллов.
Summary
Thermal stability of someA III B V type semiconducting alloys — AlSb, GaSb, InSb and Ge — is investigated by viscosity measurements in their molten phase. The corresponding free-energy-curves possess a minimum possibly indicating a change in the coordination-number, approaching in this manner the structure of the crystallized phase. Conditions of monocrystalline growth are given and based on it, a modified version of the Czochralski method is described. Finally the connection between some structure-sensitive properties of crystals and their homogenity is discussed.
Article PDF
Avoid common mistakes on your manuscript.
Литература
Д. А. Пемроб, В. М. Глазоб (сдана в печать в Известия AH CCCP).
Д. А. Пемроб, В. М. Глазоб, (сдана в печать в Доклады AH CCCP).
Д. А. Пемроб, ЖФХ, 1956, No 1.
Billig: Some defects in crystals grown from the melt. I. Defects caused by thermal stresses. Proc. Roy. Soc. A. Vol. 235, p. 37. (1956).
Dash: Bull. Amer. Phys. Soc. Vol. 30-11. 1955.
Gilman: Observations of Dislocation Glide and Climb in Lithium Fluoride Crystals. Journ. of Appl. Phys. Vol. 27. p. 1018–1022. (1956).
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Петров, Д.А. Некоторые вопросы, относящиеся к выращиванию монокристаллов полупроводников, их структуре и свойствам. Acta Physica 9, 217–227 (1958). https://doi.org/10.1007/BF03157286
Received:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF03157286