Summary
Instantaneous and steady-state currentvs. applied voltage curves are studied with the voltage-controlled method forp-GaSe polytype crystals. The former characteristics show hysteresis phenomena, the latter ones show one or many regions ofN-shaped differential negative resistance, denoting the presence of high-field domains in the crystals. It has been observed that electroluminescent emission, whose intensity and spectral composition depends on the value of the current through the sample, appears after each region of differential negative resistance. Finally, persistent current oscillations are observed when the samples are not uniformly illuminated by intense argon laser light.
Riassunto
Il comportamento della corrente e istantanea e stazionaria in funzione della tensione applicata in cristalli dip-GaSe è studiato col metodo della tensione controllata. Le caratteristiche I–V mostrano, nel caso di corrente istantanea, fenomeni di isteresi, e, nel caso di corrente stazionaria, una o più regioni di resistenza differenziale negativa di tipoN, che indicano la presenza di domini di alto campo nei cristalli. Emissione elettroluminescente, la cui intensità e composizione spettrale dipende dal valore della corrente che circola nel campione, è osservata dopo ogni regione di resistenza differenziale negativa. Infine, si osservano oscillazioni di corrente persistenti, quando i campioni sono illuminati non uniformemente con intensa radiazione emessa da un laser ad argon.
Реэюме
Исследуются кривые мгновенного и установивщегося тока в эависимости от приложенного напряжения с помошью метода регулирования напряжения для поликристалловp-GaSe. Характеристики мгновенного тока обнаруживают гистереэисные явления, а характеристики установивщегося тока обнаруживают одну или много областей дифференциального отрицательного сопротивления, обоэначаюших наличие областей высокого поля в кристаллах. Было наблюдено, что злектролюминесц ентная змиссия, интенсивность и спектральный состав которой эависят от величины тока, проходяшего череэ обраэец, появляется после каждой области дифференциального отрицательного сопротивления. Наконец, наблюдаются устойчивые осцилляции тока, когда обраэцы освешаются неравномерно интенсивным светом аргонового лаэера.
Article PDF
Similar content being viewed by others
Avoid common mistakes on your manuscript.
References
N. G. Basov, O. V. Bogolankevich, A. W. Pechenov, G. B. Abdoulaev, G. A. Akhundov andE. Y. U. Salaev:Sov. Phys. Doklady,10, 329 (1965).
J. L. Brebner andE. Mooser:Preprints of the Proc. Int. Conf. on Luminescence, vol.10 (Budapest, 1966), p. 1.
A. Cingolani andA. Levialdi:Nuovo Cimento,55 B, 146 (1968).
R. Fivaz andE. Mooser:Phys. Rev.,163, 743 (1967).
J. S. Heeks:IEEE Transactions on Electron Devices, ED13, 68 (1966).
R. T. Bate:Semiconductors and Semimetals, vol.4 (New York and London, 1968), p. 459.
B. K. Ridley andR. G. Pratt:Phys. Lett.,4, 300 (1963).
I. Z. Karimova, V. P. Sondaevskii andV. I. Stafeev:Sov. Phys. Semiconductors,1, 487 (1967).
B. K. Ridley andR. G. Pratt:Journ. Phys. Chem. Solids,26, 21 (1965).
B. K. Ridley:Proc. Phys. Soc.,82, 954 (1963).
A. G. Foyt andA. L. McWhorter:IEEE Transactions on Electron Devices, ED13, 79 (1966).
A. G. Chynoweth, W. L. Feldmann andD. E. McCumber:Proc. Int. Conf. of Semiconductors (Tokyo, 1966), p. 514.
Author information
Authors and Affiliations
Additional information
Work supported by CNR.
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Cingolani, A., Rizzo, A. Electroluminescence and bulk differential negative resistance inp-GaSe. Nuovo Cimento B (1965-1970) 63, 661–669 (1969). https://doi.org/10.1007/BF02710715
Received:
Published:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF02710715